| 发明名称 | 等离子体增强化学气相沉积装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种等离子体增强化学气相沉积装置，包括：反应腔室，所述反应腔室的侧壁上设开口阀；上电极和下电极，相对地设置在所述反应腔室的内部；以及射频馈入装置，电连接所述上电极，用于在所述反应腔室的内部产生等离子体增强化学气相沉积反应，以在置于所述下电极上的基板上形成膜层，所述射频馈入装置的输入点位于所述上电极的中心与所述开口阀之间。本发明所述等离子体增强化学气相沉积装置的产品良率高。 | ||
| 申请公布号 | CN106245005A | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
| 申请号 | CN201610834267.X | 申请日期 | 2016.09.20 |
| 申请人 | 武汉华星光电技术有限公司 | 发明人 | 刘凤举 |
| 分类号 | C23C16/509(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/509(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 郝传鑫;熊永强 |
| 主权项 | 一种等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，包括：反应腔室，所述反应腔室的侧壁上设开口阀；上电极和下电极，相对地设置在所述反应腔室的内部；以及射频馈入装置，电连接所述上电极，用于在所述反应腔室的内部产生等离子体增强化学气相沉积反应，以在置于所述下电极上的基板上形成膜层，所述射频馈入装置的输入点位于所述上电极的中心与所述开口阀之间。 | ||
| 地址 | 430070 湖北省武汉市武汉东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 | ||