固态压阻式耐高温压力传感器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种固态压阻式耐高温压力传感器及其制作方法，该传感器包括基座(1)，玻璃环(2)，SIMOX硅杯结构压阻芯片(3)，电路转接板(4)，压焊引线(5)，上盖(6)及连接电缆(7)；基座(1)与被测压力容器或管道相连接。玻璃环(2)与基座(1)和SIMOX硅杯结构压阻芯片(3)固接在一起。SIMOX硅杯结构压阻芯片(3)既作弹性元件又作为敏感元件，从而简化了传感器的结构。本发明由于经过SIMOX方法制作压阻芯片使其形成均匀一致的绝缘层二氧化硅，将上层的惠斯登单晶硅测量电路与基底硅隔离开，避免了测量电路层与硅基底之间因环境温度升高而造成的漏电流，提高了传感器的耐高温能力、测量的精确度、灵敏度和可靠性。

主权项

1、一种固态压阻式耐高温压力传感器芯片的制作方法，其特征包括下述步骤：a)、在(100)单晶硅上的表面下0.2μm深处用高能氧离子注入法形成0.35μm～0.45μm厚的SiO2隔离层；b)、用气相淀积技术外延上层单晶硅厚度至1.5μm～2.5μm；c)、采用低压气相淀积外延应力Si3N4匹配层厚度0.12μm；d)、用掺杂和等离子体刻蚀方法制作凸出SiO2隔离层表面的桥式测量电路电阻；e)、通过钛-铂-金梁引线法将凸出部分连接成惠斯登测量电路；f)、经背面刻蚀、减薄和切片形成硅杯状的压力芯片。