发明名称 |
基板之高精度电浆蚀刻方法 |
摘要 |
明系关于一种电浆制程系统及高精度蚀刻微电子基板的方法。该系统具有微波与射频(RF)电源的组合,此组合可产生能移除单层(复数单层)的电浆条件。该系统可产生第一电浆以在微电子基板表面上形成薄吸附层。当系统转换至第二电浆时可移除吸附层。第一与第二电浆之间的差异可具有邻近于基板的离子能量。例如,第一电浆可具有小于20eV的离子能量而第二电浆可具有大于20eV的离子能量。 |
申请公布号 |
TW201614725 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
申请号 |
TW104122435 |
申请日期 |
2015.07.10 |
申请人 |
东京威力科创股份有限公司 |
发明人 |
王明梅;兰杰 艾洛克;凡特萨克 彼得LG |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01);H01J37/32(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
周良谋;周良吉 |
主权项 |
一种基板处理方法,包含: 在一电浆制程室的一基板支撑件上接收一基板; 在该电浆制程室中利用一含氧电浆处理该基板之一第一部分; 在该电浆制程室中利用一氟碳电浆自该基板选择性地移除该第一部分; 利用该含氧电浆处理该基板之一第二部分;及 利用该氟碳电浆选择性地移除该第二部分。 |
地址 |
日本 |