用于堆叠式记忆体架构之自我修复逻辑

摘要

堆叠式记忆体架构之自我修复逻辑。记忆体装置之实施例包含记忆体堆叠，具有一或多个记忆体晶粒元件，包含第一记忆体晶粒元件；及系统元件，与该记忆体堆叠耦接。该第一记忆体晶粒元件包含多数直通矽晶穿孔(TSVs)，该复数TSVs包含资料TSVs与一或多个备用TSVs；及自我修复逻辑，以修复该复数资料TSVs之有缺陷TSV的操作，该有缺陷TSV之操作的修复包含该一或多个备用TSVs之利用率。

主权项

一种装置，包含：包含多个记忆体晶粒之堆叠，包括第一记忆体晶粒；其中该第一记忆体晶粒包括：复数互连，该复数互连包括复数资料互连及一或多个冗余互连，及修复逻辑，用以映射该复数资料互连之有缺陷互连的操作至该一或多个冗余互连，该修复逻辑用以：侦测该有缺陷互连，映射意欲用于该有缺陷互连之资料至第一冗余互连，及映射待被该第一冗余互连接收之资料至用于该有缺陷互连之连接。