| 发明名称 | 半导体器件及方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件。一个实施例包括横向HEMT（高电子迁移率晶体管）结构，该横向HEMT结构具有两个不同III族氮化物半导体化合物之间的异质结和布置在异质结上的层。所述层包括III族氮化物半导体化合物和阻碍该层中电流流动的至少一个阻挡物。 | ||
| 申请公布号 | CN103311291B | 申请公布日期 | 2016.11.02 |
| 申请号 | CN201310070870.1 | 申请日期 | 2013.03.06 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | G.普雷希特尔 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曲宝壮;卢江 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包含：横向HEMT结构，其包含第一负载电极、第二负载电极、控制电极、两个不同III族氮化物半导体化合物之间的异质结，以及布置在异质结上的层，该层包含III族氮化物半导体化合物和阻碍该层中电流流动的至少一个阻挡物，使得阻挡物不与控制电极接触。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||