Einrichtung und Verfahren zum Messen einer Halbleiterladungsträgerlebensdauer

摘要

Halbleiterladungsträgerlebensdauermesseinrichtung, umfassend: eine Lichtausstrahlungseinheit (1, 101), die wenigstens zwei Arten von Licht mit wechselseitig verschiedenen Wellenlängen auf einen zu messenden Halbleiter (X) ausstrahlt; eine Messwellenausstrahlungseinheit (2, 102), die eine vorbestimmte Messwelle auf den zu messenden Halbleiter (X) ausstrahlt; und eine Erfassungs-/Berechnungseinheit, die eine reflektierte Welle der Messwelle, die von dem zu messenden Halbleiter (X) reflektiert worden ist, oder eine durchgelassene Welle der Messwelle, die durch den zu messenden Halbleiter (X) durchgelassen worden ist, erfasst und die eine Ladungsträgerlebensdauer in dem zu messenden Halbleiter (X) auf Grundlage der Erfassungsergebnisse derart ermittelt, dass ein beliebiger Fehler minimiert wird, wobei die Erfassungs-/Berechnungseinheit umfasst: eine Erfassungseinheit (3, 103), die eine reflektierte Welle der Messwelle, die von dem zu messenden Halbleiter (X) reflektiert worden ist, oder eine durchgelassene Welle der Messwelle, die durch den zu messenden Halbleiter (X) durchgelassen worden ist, erfasst; und eine Berechnungseinheit (4, 1041), die eine Ladungsträgerlebensdauer in dem zu messenden Halbleiter (X) ermittelt auf Grundlage einer ersten Differenz bei einer zeitlichen relativen Änderung der reflektierten Welle oder ...