一种保护有源区面积的浅结隔离槽工艺

摘要

本发明为一种保护有源区面积的新STI工艺。随着集成电路器件集成度的不断提高，在同一块芯片上往往集成了多种不同的电路和器件。对于这样的芯片制造工艺，人们既要保证核心逻辑电路的高性能又要尽量增加存储器的容量和密度。为此，本发明提出了一种新的STI工艺，把需要高密度的硅片区和需要高性能的硅片区分开来，即在被MASK保护的区域，不采用pull-back等影响有源区面积的工艺，以获得最大的有源区面积，用以制备存储器等高密度器件；而在不被MASK保护的区域，采用pull-back等用以改善STI边角形状的工艺，以获得最佳的器件特性。

主权项

1、一种保护有源区面积的浅结隔离槽技术工艺，其特征在于在进行STI工艺的过程中，通过一掩膜板将整个芯片分解成二个不同的区域，分别用于制造存储器电路和其他逻辑电路，上述用于制造存储器电路的区域称为保护区域，用于制造其他逻辑电路的区域称为非保护区域；具体流程如下：a)淀积氧化硅和氮化硅层，其中，氧化硅厚度为：5-20nm；氮化硅厚度为：100nm-250nm；b)用STI掩膜板定义出浅结隔离槽和有源区区域；c)刻蚀氧化硅，把STI区域暴露出来；d)用化学气相淀积方法淀积一层氧化硅，其厚度为10-50nm；e)对此氧化硅层进行边墙工艺刻蚀，使其在氮化硅的断面形成氧化硅边墙；f)STI刻蚀，STI深度为30-50nm；g)用光刻胶覆盖住需要保护的区域；h)对暴露区的STI进行后拉工艺处理，用以改善STI边角形状；i)去胶和清洗；j)生长STI薄层氧化硅，氧化硅厚度为15-25nm；k)用高密度等离子体氧化硅填充淀积，氧化硅厚度为30-80nm；l)STI平整化；这里STI为浅结隔离槽。