| 发明名称 | 向改性硅中低剂量注入氧形成薄掩埋氧化物 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造绝缘体上硅(SOI)的方法，该绝缘体上硅在含硅覆层下面具有薄但均匀的掩埋氧化物区。该SOI结构是这样形成的：首先将含Si衬底的表面改性以包含高浓度的空隙或孔穴；然后，通常但不总是在该衬底顶上形成含硅层，随后以低氧剂量向该结构中注入氧离子；之后使该结构退火以将注入的氧离子转化为薄但均匀的热掩埋氧化物区。 | ||
| 申请公布号 | CN1890794A | 申请公布日期 | 2007.01.03 |
| 申请号 | CN200480028544.3 | 申请日期 | 2004.09.28 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 崔广洙;基思·E·福格尔;西格弗里德·L·莫勒;瑞安·M·米切尔;德文德拉·K·萨达纳 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01);H01L21/3063(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 陈文平 |
| 主权项 | 1.一种制造绝缘体上硅(SOI)衬底的方法，其包括：提供一种至少包括含Si衬底的结构，所述含Si衬底具有其中有空隙或孔穴的区；以约1E17原子/cm2或更低的氧剂量向所述结构中注入氧离子；并且将包含注入氧离子和空隙或孔穴的所述结构退火，以形成包括含Si覆层和掩埋氧化物的绝缘体上硅，所述掩埋氧化物的厚度为约100nm或更低。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||