| 发明名称 | 碳化硅半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有高可靠性和更长的针对栅极氧化膜的TDDB的寿命的MOS型SiC半导体装置。该半导体装置包括MOS(金属氧化物半导体)结构，MOS结构具有碳化硅(SiC)衬底、多晶硅栅电极、插入在SiC衬底与多晶硅栅电极之间的且通过热氧化SiC衬底的表面所形成的栅极氧化膜、以及与SiC衬底电接触的欧姆触点。该半导体装置还包括通过氧化多晶硅栅电极的表面所形成的多晶硅热氧化膜。栅极氧化膜的厚度为20nm或更薄，优选为15nm或更薄。 | ||
| 申请公布号 | CN101635313A | 申请公布日期 | 2010.01.27 |
| 申请号 | CN200910163147.1 | 申请日期 | 2008.03.14 |
| 申请人 | 日产自动车株式会社 | 发明人 | 谷本智 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;陈立航 |
| 主权项 | 1.一种碳化硅半导体装置，其具有金属氧化物半导体结构，所述碳化硅半导体装置包括：碳化硅衬底；多晶硅栅电极；栅极氧化膜，其通过热氧化所述碳化硅衬底而形成，所述栅极氧化膜设置在所述碳化硅衬底与所述多晶硅栅电极之间，并且与所述碳化硅衬底和所述多晶硅栅电极相连接，其中，所述栅极氧化膜的厚度为20nm或更薄；欧姆触点，其与所述碳化硅衬底电连接；以及多晶硅热氧化膜，其通过氧化所述多晶硅栅电极的表面而形成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||