发明名称 过孔和金属沟槽的制作方法
摘要 本发明提供了过孔和金属沟槽制作方法,过孔与金属沟槽连通,制作于硅基底;硅基底有中间阻挡层和底部阻挡层,硅基底上覆盖硬掩模层,其制作包括以下步骤:1.蚀刻掉预制金属沟槽的硅基底表面的硬掩模层部分;2.在蚀刻掉硬掩模层部分的硅基底表面填充底层抗反射膜;3.在非预制作过孔的硬掩模层及底层抗反射膜表面涂覆光阻,将预制作过孔位置的介质蚀刻掉,形成过孔;4.去掉光阻及底层抗反射膜,蚀刻掉未覆盖有硬掩模层的中间阻挡层上的硅基底部分形成金属沟槽。本发明过孔和金属沟槽的制作使过孔与金属沟槽的蚀刻连续执行,提高了蚀刻效率,同时去除了传统底层抗反射膜的回刻,避免栅栏式硅基底及面角的问题。
申请公布号 CN101587854A 申请公布日期 2009.11.25
申请号 CN200810037681.3 申请日期 2008.05.20
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 周鸣;孔武
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所 代理人 屈 蘅;李时云
主权项 1、过孔和金属沟槽的制作方法,所述过孔与金属沟槽连通,均制作于硅基底;所述硅基底具有中间阻挡层和底部阻挡层,所述硅基底上覆盖有硬掩模层,其特征在于,过孔和金属沟槽的制作包括以下步骤:步骤1:蚀刻掉预制金属沟槽的硅基底表面的硬掩模层部分;步骤2:在蚀刻掉硬掩模层部分的硅基底表面填充底层抗反射膜;步骤3:在非预制作过孔的硬掩模层及底层抗反射膜表面涂覆光阻,将预制作过孔位置的介质蚀刻掉,形成过孔;步骤4:去掉光阻及底层抗反射膜,蚀刻掉未覆盖有硬掩模层的中间阻挡层上的硅基底部分形成金属沟槽。
地址 201203上海市张江路18号