新的氮化硅阻隔三轴陀螺仪工艺

摘要

一种新的氮化硅阻隔三轴陀螺仪工艺，该陀螺仪包括下基板，硅外延可动结构层和上基板，其制造方法提供两片硅衬底及外延层作为电极板和通道的技术，可实现金属基板作为检测电极的电信号检测，并且在两片硅衬底上实现对外延片的键和，实现密封腔体内部电性结构和腔体外部电性外连结构的连接。金属基板的一部分作为检测极板，与可动结构层之间形成固定高度的空腔，空腔的高度和图形由特定的光刻和蚀刻程序定义，氮化硅层作为绝缘层材料，也同时作为空腔湿法蚀刻释放时的阻隔层。可动结构通过接触锚点与金属基板形成互联起到导通的作用。本发明具有工艺步骤少，便于控制的优点。

主权项

一种氮化硅阻隔三轴陀螺仪，包括下基板，硅外延可动结构层和上基板，其中，所述下基板包括底层硅衬底，在底层硅衬底上的底层氧化隔离层，在所述底层氧化隔离层上的底层金属走线，在所述底层金属走线和所述底层氧化隔离层上的氮化硅隔离层，在所述氮化硅隔离层上的上层金属走线，在所述氮化硅隔离层和上层金属走线上的上层氧化隔离层；所述硅外延可动结构层位于所述下基板的上部，包括硅外延层，所述硅外延层中部具有梳齿结构，所述梳齿结构与下基板之间具有空隙，所述硅外延层上还具有金属互联窗口；所述上基板位于硅外延可动结构层的上部，包括顶层硅衬底，所述顶层硅衬底包括一定深度的凹槽，所述凹槽面对所述梳齿结构，利用位于凹槽两侧的突起，通过键合密封，与所述梳齿结构形成真空腔体。