Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung des isolierten Gatetyps und Halbleitereinrichtung des isolierten Gatetyps

摘要

Es wird hierin eine Technik offenbart, die eine Spannungsfestigkeit einer Halbleitereinrichtung des isolierten Gatetyps verbessert. Ein bereitgestelltes Verfahren ist ein Verfahren zum Herstellen einer Schalteinrichtung des isolierten Gatetyps, die konfiguriert ist, zwischen einer vorderen Oberflächenelektrode und einer hinteren Oberflächenelektrode zu schalten. Das Verfahren enthält ein Implantieren einer ersten Art von Verunreinigungen des zweiten Leitfähigkeitstyps in untere Oberflächen von Gategräben und Diffundieren der implantierten ersten Art von Verunreinigungen des zweiten Leitfähigkeitstyps, und ein Implantieren einer zweiten Art von Verunreinigungen des zweiten Leitfähigkeitstyps in untere Oberflächen der peripheren Gräben und Diffundieren der implantierten zweiten Art von Verunreinigungen des zweiten Leitfähigkeitstyps.