| 摘要 |
1. Магнитоэлектрический запоминающий элемент, содержащий:- магнитный элемент (ELM), имеющий ось легкого намагничивания, ориентированную вдоль первой оси (а);- средство (В, В, РМ, СРЕ) для приложения к упомянутому магнитному элементу магнитного поля (Н) поляризации, направленного вдоль второй оси (а), не параллельной с упомянутой первой осью, при этом напряженность упомянутого поля выбирают таким образом, чтобы за счет комбинированного действия упомянутого поля и упомянутой оси легкого намагничивания магнитный элемент имел два отличных состояния (Р, Р) стабильного равновесия своей намагниченности, соответствующих двум разным направлениям намагниченности, которые не являются противоположными между собой;- пьезоэлектрическую или электрострикционную подложку (SP), механически связанную с упомянутым магнитным элементом; и- по меньшей мере, первый (EL) и второй (EL) электроды, выполненные с возможностью приложения электрического поля к пьезоэлектрической или электрострикционной подложке таким образом, чтобы упомянутая подложка действовала на упомянутый магнитный элемент не изотропным механическим напряжением с главным направлением, в основном ориентированным по третьей оси (ОХ), компланарной, но отличной от упомянутых первой и второй осей, при этом упомянутое механическое напряжение является достаточно сильным, чтобы, за счет магнитострикционной связи, вызвать переключение состояния намагниченности упомянутого магнитного элемента между двумя состояниями стабильного равновесия.2. Магнитоэлектрический запоминающий элемент по п. 1, в котором упомянутый магнитный элемент состоит только из одного магнитного домена. |
