发明名称 一种图形化衬底及其制备方法
摘要 本发明提供了一种图形化衬底及其制备方法,使用两次显影光刻的工艺,在增加图形高度及底座面积的同时获得适于外延生长的图形化衬底。具体技术方案为:S1、提供一基本衬底;S2、对所述基本衬底进行第一次蚀刻,得到具有周期性阵列的第一图案的图形化衬底,所述相邻第一图案底部边缘任意位置处的距离大于或等于0而小于或等于0.1微米;S3、对所述S2中的图形化衬底进行第二次蚀刻,得到具有周期性阵列的第二图案的图形化衬底,所述第二图案的底部边缘通过第二次蚀刻形成复数个蚀刻部,使得所述相邻第二图案底部边缘任意位置处的距离均大于0.1微米,以利于后续外延层的生长。
申请公布号 CN106067504A 申请公布日期 2016.11.02
申请号 CN201610597887.6 申请日期 2016.07.27
申请人 安徽三安光电有限公司 发明人 寻飞林;张家宏;蔡吉明;林兓兓;李政鸿;曾双龙;吴洪浩;徐志军;李毕庆
分类号 H01L33/22(2010.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L33/22(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种图形化衬底的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:S1、提供一基本衬底;S2、对所述基本衬底进行第一次蚀刻,得到具有周期性阵列的第一图案的图形化衬底,所述相邻第一图案底部边缘任意位置处的距离大于或等于0,小于或等于0.1微米;S3、对所述步骤S2中的图形化衬底进行第二次蚀刻,得到具有周期性阵列的第二图案的图形化衬底,所述第二图案的底部边缘通过第二次蚀刻形成复数个蚀刻部,使得所述相邻第二图案底部边缘任意位置处的距离均大于0.1微米,以利于后续外延层的生长。
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