发明名称 一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料的表面处理方法
摘要 本发明涉及一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料的表面处理方法,此方法采用频率50Hz的不对称正弦交流电源,对浸在电解液中的含碳化硅陶瓷颗粒体积比为5~40%的颗粒增强铝基复合材料施加电压,所加电压的最高正峰值为400~600V,负峰值为50~250V,通电10~90分钟,在碳化硅颗粒增强铝基复合材料表面制备出厚度10~100μm的陶瓷膜。该工艺所用的电解液由去离子水配置,配比为:5~20g/l铝酸钠、0~10g/l硅酸钠。该工艺操作简单,工艺稳定,所用的电解液对环境无污染,所制备的陶瓷膜致密均匀,显微硬度高,能显著提高碳化硅颗粒增强铝基复合材料的耐腐蚀性和耐磨性能。
申请公布号 CN101054710A 申请公布日期 2007.10.17
申请号 CN200710063630.3 申请日期 2007.02.07
申请人 北京交通大学 发明人 韩建民;崔世海;李卫京;陈怀军;刘元富;祝晓文;李荣华;徐向阳;王金华
分类号 C25D11/06(2006.01) 主分类号 C25D11/06(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料的表面处理方法,其特征在于:该方法所使用的电解液由去离子水配制,其配比为铝酸钠5~20g/l、硅酸钠0~10g/l。将经除油清洗的碳化硅颗粒增强铝基复合材料放入不锈钢电解槽中,碳化硅颗粒增强铝基复合材料接电源的正极,不锈钢电解槽的槽体接电源的负极,对工件施加频率50HZ的不对称正弦交流电,处理时间10~90分钟。
地址 100044北京市海淀区西直门外上园村3号