发明名称 |
生长氮化镓晶体的方法 |
摘要 |
根据本发明,一种生长氮化镓晶体的方法,包括步骤:在基底基板(U)上部分地形成掩膜(M),其抑制晶体的外延生长;通过气相淀积,在上面形成了掩膜(M)的基底基板(U)上外延生长晶体,其中在外延生长晶体的步骤中,晶体是在第一生长条件下生长的,其中以μm/h为单位表述的生长速率Vj和以绝对温度表述的生长温度T被表示为(a<SUB>1</SUB>/T+b<SUB>1</SUB>)<Vj<(a<SUB>2</SUB>/T+b<SUB>2</SUB>),其中使用系数a<SUB>1</SUB>=-4.39×10<SUP>5</SUP>,b<SUB>1</SUB>=3.87×10<SUP>2</SUP>,a<SUB>2</SUB>=-7.36×10<SUP>5</SUP>和b<SUB>2</SUB>=7.37×10<SUP>2</SUP>。这样,晶体中的位错密度减小。 |
申请公布号 |
CN101144182A |
申请公布日期 |
2008.03.19 |
申请号 |
CN200710138204.1 |
申请日期 |
2007.07.31 |
申请人 |
住友电气工业株式会社 |
发明人 |
弘田龙;元木健作;中畑成二;冈久拓司;上松康二 |
分类号 |
C30B25/04(2006.01);C30B29/40(2006.01);C30B29/38(2006.01);H01L21/205(2006.01) |
主分类号 |
C30B25/04(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
穆德骏;黄启行 |
主权项 |
1.一种生长氮化镓晶体的方法,包括步骤:在基底基板(U)上部分地形成掩膜(M),其抑制氮化镓晶体的外延生长,以提供由所述掩膜(M)覆盖的覆盖部分和未由所述掩膜(M)覆盖的暴露部分;以及通过气相淀积,在其上形成了所述掩膜(M)的所述基底基板(U)上外延生长所述晶体,其中在所述的外延生长所述晶体的步骤中,所述晶体是在第一生长条件下生长的,其中,以μm/h为单位表述的生长速率Vj和以绝对温度表述的生长温度T被表示为(a1/T+b1)<Vj<(a2/T+b2)其中使用系数a1=-4.39×105,b1=3.87×102,a2=-7.36×105和b2=7.37×102,由此,所述晶体在所述暴露部分上生长,在所述暴露部分上面的所述晶体处形成了多个晶面(F),其末端是所述掩膜(M)的周界,在保持所述晶面(F)的情况下生长所述晶体,在相互相对的所述晶面(F)上面生长第一晶体区域,所述掩膜(M)置于所述相互相对的所述晶面(F)之间,以便于使所述第一晶体区域在所述掩膜(M)上方结成一体,并且被形成为覆盖所述掩膜(M),并且所述第一晶体区域的c轴方向相对于所述暴露部分上生长的第二晶体区域反转。 |
地址 |
日本大阪府大阪市 |