发明名称 热电转换材料、其制造方法及热电转换元件
摘要 本发明提供可以在约300~600℃的温度下稳定地发挥较高的热电转换性能、具有较高的物理强度、不会风化且在耐久性方面优异、稳定性及可靠性高的热电转换材料及其制造方法以及热电转换元件,并且,提供能够将以往除了填埋处理以外没有其他用途的硅残渣作为原料的热电转换材料。这里,本发明的热电转换材料的特征在于,其含有烧结体作为主成分,所述烧结体由含有As、Sb、P、Al及B中的至少一种元素的多晶结构的硅化镁构成,另外本发明是使用了经过纯化提纯处理的硅残渣的制造方法。
申请公布号 CN101589480A 申请公布日期 2009.11.25
申请号 CN200780047822.3 申请日期 2007.12.19
申请人 昭和KDE株式会社;学校法人东京理科大学;日本恒温装置株式会社 发明人 饭田努;水户洋彦;根本崇
分类号 H01L35/20(2006.01)I;C02F11/00(2006.01)I;C02F11/12(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;C04B35/58(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I 主分类号 H01L35/20(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 张 楠;陈建全
主权项 1、一种热电转换材料,其特征在于,其由烧结体构成,所述烧结体以含有As、Sb、P、Al及B中的至少一种元素的多晶结构的硅化镁(Mg2Si)作为主成分。
地址 日本东京都
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