| 发明名称 | 电子元件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在由半导体材料构成的衬底(3)上具有金属层(9)的电子元件，其中在该金属层(9)与该衬底(3)之间构造了一个扩散阻断层(7)，该扩散阻断层由一种材料来制造，该材料对于该金属层(9)的金属具有小的扩散系数。 | ||
| 申请公布号 | CN101589466A | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200880002906.X | 申请日期 | 2008.01.09 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | R·菲克斯;O·沃尔斯特;A·马丁 |
| 分类号 | H01L23/482(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/482(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李少丹;刘春元 |
| 主权项 | 1.在由半导体材料构成的衬底(3)上具有金属层(9)的电子元件，其特征在于，在该金属层(9)与该衬底(3)之间构造有扩散阻断层(7)，该扩散阻断层由一种材料来制造，该材料对于该金属层(9)的金属具有小的扩散系数。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||