| 发明名称 |
ETCHANT, ETCHING METHOD USING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT |
| 摘要 |
반도체 프로세스용의 에칭액으로서, 설폰산 화합물과, 할로젠 이온과, 질산 또는 질산 이온과, 유기 양이온과, 물을 함유하는 에칭액. |
| 申请公布号 |
KR20160110519(A) |
申请公布日期 |
2016.09.21 |
| 申请号 |
KR20167023826 |
申请日期 |
2015.02.19 |
| 申请人 |
FUJIFILM CORPORATION |
发明人 |
MIZUTANI ATSUSHI;KAMIMURA TETSUYA |
| 分类号 |
H01L21/3213;C23F1/26;C23F1/30;H01L29/66;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/3213 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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