发明名称 |
半导体器件及其晶圆级封装 |
摘要 |
本发明提供一种半导体器件,包括集成电路裸晶、钝化层和重布线层结构。集成电路裸晶具有主动表面,在主动表面上设有至少一第一片上金属垫和第二片上金属垫,第一片上金属垫邻近第二片上金属垫。钝化层位于主动表面上,且覆盖第一片上金属垫和第二片上金属垫。重布线层结构位于钝化层上。重布线层结构包括第一着垫,位于第一片上金属垫的上方;第一导孔,位于重布线层结构中,电连接第一着垫与第一片上金属垫;第二着垫,位于第二片上金属垫的上方;第二导孔,位于重布线层结构中,电连接第二着垫与第二片上金属垫;以及至少三条线路,设于重布线层结构上,并通过第一着垫与第二着垫之间的空间。本发明还提供一种晶圆级封装,可提高信号完整性。 |
申请公布号 |
CN105990312A |
申请公布日期 |
2016.10.05 |
申请号 |
CN201610099033.5 |
申请日期 |
2016.02.23 |
申请人 |
联发科技股份有限公司 |
发明人 |
许仕逸;谢东宪;周哲雅 |
分类号 |
H01L23/522(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/522(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 |
代理人 |
何青瓦 |
主权项 |
一种半导体器件,其特征在于,包括:集成电路裸晶,具有主动表面,在该主动表面上设有至少一第一片上金属垫和第二片上金属垫,且该第一片上金属垫邻近该第二片上金属垫;钝化层,位于该主动表面上,且覆盖该第一片上金属垫以及该第二片上金属垫;以及重布线层结构,位于该钝化层上,该重布线层结构包括:第一着垫,位于该第一片上金属垫的上方;第一导孔,位于该重布线层结构中,电连接该第一着垫与该第一片上金属垫;第二着垫,位于该第二片上金属垫的上方;第二导孔,位于该重布线层结构中,电连接该第二着垫与该第二片上金属垫;以及至少三条线路,位于该重布线层结构上,并通过该第一着垫与该第二着垫之间的空间。 |
地址 |
中国台湾新竹市新竹科学工业园区笃行一路一号 |