一种半导体器件的制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：在半导体衬底上形成包括伪栅极、附加层及图形化的硬掩膜层的伪栅极结构；步骤S102：在伪栅极结构的两侧形成偏移侧壁层及主侧壁层；步骤S103：形成接触孔刻蚀阻挡层和层间介电层，通过CMP去除层间介电层高于附加层的部分以及硬掩膜层，并去除附加层；步骤S104：通过刻蚀在伪栅极的上方形成倒梯形开口；步骤S105：去除伪栅极，通过倒梯形开口在伪栅极原来的位置填充栅极材料并进行CMP以形成金属栅极。该方法由于包括在伪栅极上方形成倒梯形开口的步骤，因此可以避免金属栅极内出现空洞。本发明的电子装置包括根据上述方法制得的半导体器件，同样具有上述优点。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底(100)，在所述半导体衬底上形成包括伪栅极(101)、附加层(102)以及图形化的硬掩膜层(103)的伪栅极结构；步骤S102：在所述伪栅极结构的两侧形成偏移侧壁层(104)以及位于所述偏移侧壁层的外侧的主侧壁层(105)；步骤S103：在所述半导体衬底上形成接触孔刻蚀阻挡层(107)和层间介电层(108)，通过CMP去除所述层间介电层高于所述附加层的部分以及所述硬掩膜层，并通过刻蚀去除所述附加层；步骤S104：通过刻蚀在所述伪栅极的上方形成倒梯形开口(200)；步骤S105：去除所述伪栅极，通过所述倒梯形开口在所述伪栅极原来的位置填充栅极材料并进行CMP以形成金属栅极(109)。