用多阶段核化抑制填充特征

摘要

本发明涉及用多阶段核化抑制填充特征，描述了用钨填充特征的方法，以及相关的系统和装置，其涉及钨核化的抑制。在一些实施方式中，所述方法涉及沿特征轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨核化的方法可包括使所述特征暴露于直接或远程等离子体。方法包括执行多阶段抑制处理，其包括各阶段之间的间隔。在间隔期间，可以使等离子体源功率、衬底偏置功率、或处理气体流量中的一种或多种降低或者使其关闭。本文所述的方法可用于填充垂直特征，如钨通孔，以及水平特征，如垂直NAND(VNANA)字线。所述方法可用于共形填充和由下向上/由内向外的填充。应用的实例包括逻辑和存储接触填充、DRAM埋入式字线填充、垂直集成存储栅极和字线填充、以及使用通硅通孔的3‑D集成。

主权项

一种方法，其包括：提供包括特征的衬底，所述特征具有一个或多个特征开口和特征内部；并且执行多阶段抑制处理，所述多阶段抑制处理包括至少在第一阶段和第二阶段中使所述特征暴露于由处理气体产生的等离子体，其中在所述第一阶段和所述第二阶段之间具有间隔，其中在所述间隔期间使等离子体源功率、衬底偏置、或处理气体流速中的一种或多种降低，并且其中所述抑制处理优先抑制在特征开口处的金属的核化。