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发明名称 FLASH EEPROM CELL WITH ENHANCED INTEGRATION DEGREE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要
申请公布号 KR100451491(B1) 申请公布日期 2004.09.23
申请号 KR19970066713 申请日期 1997.12.08
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 PARK, SANG HUN
分类号 H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
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