| 发明名称 |
High-voltage MOS-gated power device, and related manufacturing process |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1009036(B1) |
申请公布日期 |
2007.09.19 |
| 申请号 |
EP19980830737 |
申请日期 |
1998.12.09 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
FRISINI, FERRUCCIO |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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