| 发明名称 | 防止因热引起劣化的半导体器件用接触件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的接触件通过在金属弹簧膜的表面层叠形状记忆合金膜而构成，其形状为圆锥螺旋状。其制造方法包括金属牺牲膜的制造工序、抗蚀锥形成工序、抗蚀膜图案形成工序、形状记忆合金膜制造工序等11个工序。由于有机系抗蚀剂材料不具有耐热性，所以，预先形成金属牺牲膜，在形状记忆合金膜的溅射之前进行抗蚀剂除去，在高温下进行的形状记忆合金的溅射及热处理之后除去金属牺牲膜，对剩余的形状记忆合金膜进行去除。由此，可提供即使反复进行老化试验也能够防止形状永久变形的接触件及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101118995A | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN200710143722.2 | 申请日期 | 2007.08.02 |
| 申请人 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 发明人 | 村田真司 |
| 分类号 | H01R13/24(2006.01);H01R43/16(2006.01);H01R33/76(2006.01) | 主分类号 | H01R13/24(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘建 |
| 主权项 | 1.一种接触件，具备：形成为圆锥螺旋状或多棱锥螺旋状的金属弹簧膜；和形成在所述金属弹簧膜的表面上，并且马氏体相变温度高于室温而马氏体逆相变温度低于老化试验的试验温度的形状记忆合金膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||