| 发明名称 | 凸点下金属膜及其形成方法、及声表面波器件 | ||
| 摘要 | 本发明是形成于衬底上的凸点下金属膜，该凸点下金属膜的结构，至少具备由铂族金属膜制成的耐扩散阻挡层、以及位于所述耐扩散阻挡层下层的以铝为主成分的应力缓冲层。 | ||
| 申请公布号 | CN101147250A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200680009633.2 | 申请日期 | 2006.03.07 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 古川光弘;鹰野敦 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H03H9/145(2006.01);H03H9/25(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种凸点下金属膜，形成于衬底上，其中，所述凸点下金属膜的结构至少由以下两个层构成：由铂族金属膜制成的耐扩散阻挡层；以及设置于所述耐扩散阻挡层的下层，且以铝为主成分的应力缓冲层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||