| 发明名称 | 在等离子体蚀刻处理期间保护硅或碳化硅电极表面免于形态改性的方法 | ||
| 摘要 | 提供了在等离子体处理室的硅或碳化硅电极上形成保护性聚合物涂层的方法。相对于对等离子体和气体反应剂组分的暴露，聚合物涂层对下面的电极表面提供保护。所述方法可以在清洗室的处理期间，或在室中蚀刻半导体基材的处理期间进行。 | ||
| 申请公布号 | CN100466187C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200580037637.7 | 申请日期 | 2005.10.26 |
| 申请人 | 兰姆研究公司 | 发明人 | 陈婉琳;竹下健二;朝生强;川口晴司;T·麦克拉德;E·马格尼;M·凯利;M·卢潘;R·赫夫蒂 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01) | 主分类号 | H01L21/302(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;李丙林 |
| 主权项 | 1.在等离子体处理室中沉积保护性聚合物涂层的方法，所述方法包括:将气体组合物供应到等离子体处理室中，所述等离子体处理室包括具有暴露于等离子体的表面的硅或碳化硅电极，所述电极面对支持半导体基材的基材支架；将气体组合物激发成等离子态；和在暴露于等离子体的电极表面的至少一部分上形成保护性聚合物涂层，在随后半导体基材在室中的等离子体蚀刻期间，所述聚合物涂层能够提供保护以防止保护性涂层下面的表面被蚀刻。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||