半导体元件的结构

摘要

一种半导体元件的结构，其利用特殊的通孔图形，将金属间介电层(ILD)分隔为多个独立块，以使因引线键合所造成的裂痕受到限制，而降低裂痕产生的几率。且应用单一层本发明的通孔图形，特别是当此通孔越靠近上层引线键合的位置，即可有效地减少焊垫裂痕的产生。若是利用两层本发明的通孔图形，则可完全避免焊垫裂痕的产生。

主权项

1.一种半导体元件的结构，可消除芯片封装时因引线键合而造成的破裂，其中，该半导体元件的结构包括:一基材；一层间介电层，形成于该基材上；一第一金属层，形成于该层间介电层上；一第二金属层，位于该第一金属层上方，且该第一金属层与该第二金属层之间有一第一金属间介电层，且该第一金属间介电层有金属连接用的多个第一通孔；以及一第三金属层，位于该第二金属层上方，且该第二金属层与该第三金属层之间有一第二金属间介电层，且该第二金属间介电层有金属连接用的多个第二通孔；其中，该些第一通孔将该第一金属间介电层区隔为多个独立的第一介电材料块，而该些第二通孔将该第二金属间介电层区隔为多个独立的第二介电材料块，且该些第二通孔的位置与该些第一通孔的位置相互错位，其中，所述第一通孔和第二通孔内填充有金属。