发明名称 一种极细同轴线与连接器连接的加工工艺方法
摘要 本发明公开了一种极细同轴线与连接器连接的加工工艺方法,包括步骤:首先把整列的同轴排线切成产品所要的长度;再用激光割断同轴线的外皮层并挪移开割断的外皮层以露出屏蔽线层;接着用230℃以上高温把镀有锡的铜接地片和露出的屏蔽线层进行焊接;再用激光将焊接有铜接地片的屏蔽线层割断或割破并挪移开被割后的屏蔽线层以露出绝缘体层;然后用激光割断露出的绝缘体层并挪移开被割后的绝缘体层以露出芯线导体;在露出的芯线导体的表面镀上一层锡;根据所要连接的连接器的连接要求将铜接地片和芯线导体切断;最后用230℃以上高温将芯线导体和要连接的连接器端子进行焊接。本发明方法制作精度高、做成的产品品质有保证。
申请公布号 CN101635424A 申请公布日期 2010.01.27
申请号 CN200910109394.3 申请日期 2009.08.19
申请人 贺建和 发明人 贺建和
分类号 H01R43/20(2006.01)I;H01R43/28(2006.01)I;H01R43/02(2006.01)I 主分类号 H01R43/20(2006.01)I
代理机构 深圳市博锐专利事务所 代理人 张 明
主权项 1.一种极细同轴线与连接器连接的加工工艺方法,其特征在于,包括如下步骤:A.把整列的同轴排线切成产品所要的长度;B.用激光割断所述同轴线的外皮层;C.把步骤B中割断的外皮层挪移开,露出屏蔽线层;D.用230度以上的高温把镀有锡的铜接地片和步骤C中露出的屏蔽线层焊接,使接地片和屏蔽线层连成一个回路;E.用激光将焊接有铜接地片的屏蔽线层割断或割破;F.把步骤E中被割后的屏蔽线层挪移开,露出绝缘体层;G.用激光割断步骤F中所露出的绝缘体层;H.把步骤G中被割后的绝缘体层挪移开,露出芯线导体;I.在步骤H中露出的芯线导体的表面镀上一层锡;J.根据所要连接的连接器的连接要求将铜接地片和芯线导体切断;K.用230度以上的高温将切好的极细同轴线的芯线导体和要连接的连接器端子进行焊接。
地址 518000广东省深圳市南山区西丽街道西丽路雅丽阁307