金属垫的形成方法

摘要

本申请提供了一种金属垫的形成方法。该形成方法包括：提供具有半导体前道工艺结构的半导体基底；在半导体基底上形成金属互连层，金属互连层具有顶层金属布线层；在顶层金属布线层上设置金属垫和钝化层；对金属互连层进行合金化处理，其中，在进行合金化步骤的过程中通入氧气以在金属垫的表面形成氧化层。在合金化的过程中通入氧气，从而在金属互连层合金化的过程中在金属垫的表面形成氧化层，所形成的氧化层能够保护其下的金属，避免金属垫中的金属被硅碎屑损伤；而且所通入的氧气不会对合金化过程产生影响，保持了合金化处理所具有的减少金属互连层中各层间的应力使层与层之间形成良好的接触面并降低层与层之间接触电阻的效果。

主权项

一种金属垫的形成方法，包括：提供具有半导体前道工艺结构的半导体基底；在所述半导体基底上形成金属互连层，所述金属互连层具有顶层金属布线层；在所述顶层金属布线层上设置金属垫和钝化层；对所述金属互连层进行合金化处理，其特征在于，在进行所述合金化步骤的过程中通入氧气以在所述金属垫的表面形成氧化层。