| 发明名称 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件制作方法，该方法包括下述步骤：步骤a：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成具有沟槽的绝缘层和掩膜层；步骤b：在所述半导体衬底靠近所述沟槽底部的表层形成重掺杂区；步骤c：在所述沟槽内形成沟道区域、栅极氧化层和栅极；步骤d：去除所述掩膜层，在所述栅极两侧的所述绝缘层上形成抬高的源区和漏区；其中，所述源区和漏区与沟道区域形成肖特基接触。通过本发明的半导体器件制作方法，可改善器件的自热效应、漏致势垒降低效应和亚阈特性。 | ||
| 申请公布号 | CN105990143A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510057250.3 | 申请日期 | 2015.02.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘金华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤a：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成具有沟槽的绝缘层和掩膜层；步骤b：在所述半导体衬底靠近所述沟槽底部的表层形成重掺杂区；步骤c：在所述沟槽内形成沟道区域、栅极氧化层和栅极；步骤d：去除所述掩膜层，在所述栅极两侧的所述绝缘层上形成抬高的源区和漏区；其中，所述源区和漏区与沟道区域形成肖特基接触。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||