一种存储装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储装置及其制造方法，该存储装置包括以一绝缘材料分隔开的多个导电条叠层；存储装置还包括多个导电条的至少一底层、多个中间层及一顶层；一参考导体设置于导电条的底层与一基板之间的一层中，参考导体以一绝缘材料层电性绝缘于基板，并以另一绝缘材料层电性绝缘于导电条的底层。多个垂直有源条设置于导电条叠层之间并与基板及参考导体电性接触。多个电荷储存结构设置于多个接口区中，此些接口区位于导电条叠层中的中间层中的导电条的多个侧表面与垂直有源条的多个交叉点。一偏压回路可配置为提供不同的多个偏压安排至参考导体与基板。

主权项

一种具有一存储单元串阵列的存储装置，包括：一基板；多个导电条叠层，以一绝缘材料分隔开；一参考导体，设置于这些导电条叠层与该基板之间的一层中，该参考导体是以一绝缘材料层电性绝缘于该基板，该参考导体是以另一绝缘材料层电性绝缘于这些导电条叠层；多个垂直有源条，位于这些导电条叠层之间，这些垂直有源条与该基板及该参考导体是电性接触；以及多个电荷储存结构，位于多个接口区中，这些接口区位于这些导电条叠层中的多个导电条的多个侧表面与这些垂直有源条的多个交叉点。