半导体器件结构及其形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底和位于衬底上方的第一介电层。半导体器件结构包括位于第一介电层上方的第二介电层。第一介电层和第二介电层由不同的材料制成。半导体器件结构包括穿过第一介电层并且穿入第二介电层内的导电通孔结构。导电通孔结构具有第一部分和第二部分，第一部分和第二部分分别位于第一介电层和第二介电层中。第一部分具有面向衬底的第一端部，并且第一端部的第一宽度大于第二部分的第二宽度。

主权项

一种半导体器件结构，包括：衬底；第一介电层，位于所述衬底上方；第二介电层，位于所述第一介电层上方，其中，所述第一介电层和所述第二介电层由不同的材料制成；以及导电通孔结构，穿过所述第一介电层并且穿透到所述第二介电层内，其中，所述导电通孔结构具有第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别位于所述第一介电层和所述第二介电层中，所述第一部分具有面向所述衬底的第一端部，并且所述第一端部的第一宽度大于所述第二部分的第二宽度。