導電性要素を備えたチップダイの提供

摘要

チップ製造工程においてチップダイを処理するためレーザビームの入射位置を制御する位置制御情報を提供する方法であり、（ａ）チップダイの導電性要素の位置（ｘ、ｙ）の仕様を受け取る段階であり、該位置がチップダイで規定される平面内に第１方向に沿った第１座標（ｘ）及び第２方向に沿った第２座標（ｘ）を有し、前記第１方向および第２方向が相互に交差する段階、（ｂ）所定の２次元空間配置内の位置のクラスターを選択する段階であり、クラスター内の位置の各対は、少なくとも第１座標における第１最小差又は第２座標における第２最小差を少なくとも有する段階、及び順序付けられた組から次の位置を除去する段階、（ｃ）前記クラスター内での処理を実行するのに必要な予想時間に従い位置の組の位置およびチップを含むウェハの速度を更新する段階、（ｄ）前記組の各位置がクラスターに割り当てられるまで段階（ｂ）〜（ｄ）を繰り返す段階、を含む方法。