氮化物半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明以低成本提供与作为氮化物半导体层的生长用衬底使用单晶蓝宝石衬底的情况相比元件特性维持现状或比现状提高的氮化物半导体发光元件。该氮化物半导体发光元件包括：作为主成分包含多晶二氧化硅或非晶二氧化硅的衬底；设置在衬底之上的基底层；和设置在衬底之上，具有至少一个由氮化物半导体单晶构成的层的层叠结构。基底层包含c轴取向的结晶，通过溅射法形成。

主权项

一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，包括：作为主成分包含多晶二氧化硅或非晶二氧化硅的衬底；设置在所述衬底之上的基底层；和设置在所述基底层之上，具有至少一个由氮化物半导体单晶构成的层的层叠结构，所述基底层包含c轴取向的结晶，通过溅射法形成。