| 发明名称 | 齐纳二极管的制备方法和齐纳二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种齐纳二极管的制备方法和齐纳二极管，其中，制备方法包括：在衬底上形成第一肼区、第二肼区和齐纳肼区后，在所述第一肼区和所述第二肼区的两个公共区域以及所述第二肼区和所述齐纳肼区的两个公共区域形成场氧化层；在所述齐纳肼区的内部形成两个多晶硅掩膜结构；在形成所述多晶硅掩膜结构的衬底上依次形成第一离子区域、第二离子区域、图形化的隔离层和金属电极以完成所述齐纳二极管的制备。通过本发明的技术方案，确保了齐纳二极管的源区尺寸和位置布局的准确性，避免了套刻偏差造成的电学特性误差，进而影响用户的使用需求。 | ||
| 申请公布号 | CN106169423A | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
| 申请号 | CN201510284694.0 | 申请日期 | 2015.05.28 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 杜蕾 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L29/866(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人 | 尚志峰;汪海屏 |
| 主权项 | 一种齐纳二极管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一肼区、第二肼区和齐纳肼区后，在所述第一肼区和所述第二肼区的两个公共区域以及所述第二肼区和所述齐纳肼区的两个公共区域形成场氧化层；在所述齐纳肼区的内部形成两个多晶硅掩膜结构；在形成所述多晶硅掩膜结构的衬底上依次形成第一离子区域、第二离子区域、图形化的隔离层和金属电极以完成所述齐纳二极管的制备。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||