一种FET微波噪声模型建立方法

摘要

本发明涉及半导体集成电路制造领域，公开了一种FET微波噪声模型建立方法，包括：将FET电极划分为四个区域，栅极输入结构、漏极输出结构、源极接地结构、有源区电极，采用全波电磁场方法模拟微波信号在FET电极中的传输特性，获得各个区域的S参数；将FET有源区电极转换为等效电路模型，将获得的栅极输入结构的S参数、漏极输出结构的S参数以及源极接地结构的S参数分别接入三个连接端口，获得FET无源电极模型；对FET进行在片测试，获得小信号和噪声测试数据，并基于测试数据，经过去嵌入处理，获得FET本征部分的小信号参数和噪声源；将小信号参数和噪声源，按照端口对应关系，接入FET无源电极模型中，获得FET的微波噪声模型。

主权项

一种FET微波噪声模型建立方法，其特征在于，包括如下内容：S101，将FET电极划分为四个区域，分别为栅极输入结构、漏极输出结构、源极接地结构、有源区电极，采用全波电磁场方法模拟微波信号在所述FET电极中的传输特性，获得各个区域的S参数；S102，将FET有源区电极转换为等效电路模型，所述等效电路模型包括与外部连接的三个连接端口，将S101中获得的栅极输入结构的S参数、漏极输出结构的S参数以及源极接地结构的S参数分别接入等效电路模型的三个连接端口，获得FET无源电极模型；S103，对FET进行在片测试，获得小信号和噪声测试数据，并基于所述测试数据，经过去嵌入处理，获得FET本征部分的小信号参数和噪声源；S104，将S103中获得的小信号参数和噪声源，按照端口对应关系，接入S102获得FET无源电极模型中，获得FET的微波噪声模型。