一种低温漂的全MOSFET基准电压源

摘要

本发明公开了一种低温漂的全MOSFET基准电压源，包括正温度系数电压产生电路、核心电路、零极点补偿电路三部分。正温度系数电压产生电路的输出端与核心电路的输入端连接，核心电路的输出端与零极点补偿电路的输入端连接，零极点补偿电路的输出端经电阻连接至核心电路，为核心电路提供偏置电压。本发明能够简化电路结构，提高电路工作频率，降低基准电压温度系数，使得基准电压在很宽的温度范围内保持稳定的输出，适用于大多数需要基准电压源的模拟和数字电路中。

主权项

一种低温漂的全MOSFET基准电压源，包括正温度系数电压产生电路、核心电路、零极点补偿电路，其特征在于，所述的正温度系数电压产生电路包括两个P型金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管PMOSFET(8)与(9)、两个增强型N型金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管NMOSFET(2)与(7)、两个耗尽型N型金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管NMOSFET(3)与(5)，正温度系数电压产生电路的输出端与核心电路的输入端连接；所述核心电路包括两个P型金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管PMOSFET(10)与(11)、两个增强型N型金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管NMOSFET(1)与(4)，核心电路的输入端与正温度系数电压产生电路的输出端连接，核心电路的输出端与零极点补偿电路的输入端连接；所述零极点补偿电路包括一个增强型N型金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管NMOSFET(6)、两个电容C₁与C₂、三个电阻R₁、R₂与R₃，零极点补偿电路的输入端与核心电路的输出端连接，零极点补偿电路的输出端经电阻R₂连接至核心电路，为核心电路提供偏置电压。