| 发明名称 | 半导体器件中电容器的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高度集成半导体器件中电容器的形成方法，该电容器在工艺可靠性方面得以提高。为实现此效果，本发明包括：形成层间绝缘层于衬底上；以构成电容器的高度形成电容器绝缘层于层间绝缘层上；以梯形形状形成作为硬掩模的多晶硅图案于电容器绝缘层上；通过将作为硬掩模的多晶硅图案用作蚀刻阻挡层，去除位于制备电容器的区域内的电容器绝缘层，以形成电容器孔；形成下层电极于电容器孔内；以及形成介电薄膜和上层电极于下层电极上。 | ||
| 申请公布号 | CN1293624C | 申请公布日期 | 2007.01.03 |
| 申请号 | CN03110474.6 | 申请日期 | 2003.04.16 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴炳俊 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件中电容器的形成方法，包括步骤：形成一层间绝缘层于衬底上；以构成电容器的高度形成一电容器绝缘层于层间绝缘层上；以梯形的形状形成作为硬掩模的多晶硅图案于电容器绝缘层上；通过将作为硬掩模的多晶硅图案用作蚀刻阻挡层，去除位于制备电容器的区域内的电容器绝缘层，以形成具有相等厚度且具有垂直外形的电容器孔；形成下层电极于电容器孔内；以及形成介电薄膜和上层电极于下层电极上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||