发明名称 MAGNETORESISTIVE ELEMENT IN PARTICULAR MEMORY ELEMENT OR LOGIC ELEMENT AND METHOD FOR WRITING INFORMATION TO SUCH AN ELEMENT
摘要
申请公布号 EP1864290(A1) 申请公布日期 2007.12.12
申请号 EP20060723859 申请日期 2006.03.30
申请人 UNIVERSITAET DUISBURG-ESSEN 发明人 CHEN, XI;HOCHSTRAT, ANDREAS;KLEEMANN, WOLFGANG;BORISOV, PAVEL
分类号 G11C11/16 主分类号 G11C11/16
代理机构 代理人
主权项
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