半导体照明散热衬底基板材料

摘要

本发明涉及一种半导体照明散热衬底基板材料。它是由下列重量百分比的原料和方法制成的：氧化铍97～99％，氧化铝0.5～1.6％，氧化镁0.4～1.1％，氧化钙0.1～0.3％，在煅烧前将氧化铍中加入氧化铝，在密封的容器中，在1600～1900摄氏度的高温中煅烧，再加入氧化镁、氧化钙，共煅烧60分钟，得纯度97～99％的氧化铍材料；球磨混合，瓷坯成型，冲片，烧成。本发明优点在于在芯片封装散热材料上采用的是氧化铍材料，一次加工成型，导热率达到230K。解决散热及防静电关键技术，使其使用效果达到通用化，又能达到相应的照明标准。

主权项

1、半导体照明散热衬底基板材料，它是由下列重量百分比的原料和方法制成的：氧化铍BeO 97～99％，颗粒直径在10～20μm，氧化铝Al2O3 0.5～1.6％，颗粒直径在10～20μm，氧化镁MgO 0.4～1.1％，颗粒直径在10～20μm，氧化钙CaO 0.1～0.3％，颗粒直径在10～20μm，制备方法：一、配料：按重量百分比，氧化铍BeO 97～99％，颗粒直径在10～20μm，氧化铝Al2O3 0.5～1.6％，颗粒直径在10～20μm，氧化镁MgO 0.4～1.1％，颗粒直径在10～20μm，氧化钙CaO 0.1～0.3％，颗粒直径在10～20μm，二、锻烧在煅烧前将氧化铍BeO中加入氧化铝Al2O3，在密封的容器中，在1600摄氏度～1900摄氏度的高温中煅烧，10分钟后加入氧化镁，20分钟后加入氧化钙，然后再煅烧40分钟，得纯度高达97～99％的氧化铍材料；三、球磨混合将得到的氧化铍材料投入球磨机中，进行研磨，研磨出10～20μm的颗粒；四、瓷坯成型将研磨后的氧化铍材料，经过模具成型后，用成型机挤压成形，制成了瓷坯；五、冲片将瓷坯经过清水冲洗；八、烧成将经过清水冲洗的瓷坯，再进行高温1600～1900摄氏度烧结。