发明名称 METHOD FOR PROVIDING LATERAL THERMAL PROCESSING OF THIN FILMS ON LOW-TEMPERATURE SUBSTRATES
摘要 선택적 방식으로 최소한으로 흡수하는 박막을 열적으로 프로세싱하기 위한 방법이 개시된다. 2개의 가깝게 이격된 흡수 트레이스들이 박막과 열적으로 접촉하여 패터닝된다. 펄스화된(pulsed) 라디언트 소스(radiant source)는 2개의 흡수 트레이스들을 가열하는데 사용되며, 박막은 2개의 흡수 트레이스들 사이에 전도를 통해 열적으로 프로세싱된다. 이 방법은 박막이 반도체인 박막 트랜지스터(TFT)를 제조하는데 이용될 수 있으며, 흡수체(absorber)들은 TFT의 소스 및 드레인이다.
申请公布号 KR101655879(B1) 申请公布日期 2016.09.08
申请号 KR20157035388 申请日期 2011.06.02
申请人 엔씨씨 나노, 엘엘씨 发明人 슈로더, 쿠르트, 에이.;벤즈, 로버트, 피.
分类号 H01L21/02;H01L27/12;H01L29/66;H01L29/786 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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