发明名称 APPARATUS FOR GROWING SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL
摘要 탄화규소와 바나듐 원료분말의 균일 혼합 문제를 해소할 수 있고, 바나듐이 균일하게 지속적으로 승화할 수 있도록, 내부에 단결정 원료가 수용되는 도가니, 상기 도가니를 둘러싸는 단열재, 상기 단열재의 외부에 배치되는 석영관, 및 상기 석영관의 외부에 마련되어 도가니를 가열하는 가열수단을 포함하고, 상기 도가니는 상대적으로 위쪽에 배치되며 상단에 종자정이 장착되는 상부도가니, 상기 상부도가니와 분리되어 상부도가니 하부에 배치되는 하부도가니를 포함하여 상부도가니와 하부도가니에 각각 원료를 분리 수용하며, 상기 하부도가니 내부의 원료에서 승화된 물질을 상부도가니로 유도하는 유도부를 포함하는 반절연 탄화규소 단결정 성장장치를 제공한다.
申请公布号 KR101655242(B1) 申请公布日期 2016.09.08
申请号 KR20140187660 申请日期 2014.12.23
申请人 재단법인 포항산업과학연구원 发明人 여임규;박노형;은태희;김장열
分类号 C30B23/00;C30B29/36 主分类号 C30B23/00
代理机构 代理人
主权项
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