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Halbleitervorrichtung mit: einem Halbleitersubstrat (20) mit einer Dicke von 150 μm oder weniger mit einer ersten Hauptoberfläche (20a) und einer zweiten Hauptoberfläche (20b), die einander gegenüberliegen, einem Abschnitt eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate (IGBT), der auf einer Seite der ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates (20) ausgebildet ist, einer ersten Region (2) eines ersten Leitungstyps einer Freilaufdiode, die in der ersten Hauptoberfläche (20a) des Halbleitersubstrates (20) ausgebildet ist, einer Kollektorregion (9) des ersten Leitungstyps des Bipolartransistors mit isoliertem Gate, die in der zweiten Hauptoberfläche (20b) des Halbleitersubstrates (20) ausgebildet ist, wobei eine Dotierung des ersten Leitungstyps in die Kollektorregion (9) bis zu einer Tiefe von höchstens 1,0 μm ausgehend von der zweiten Hauptoberfläche (20b) so eingebracht ist, dass diese eine Maximalkonzentration von mindestens 3,0 × 1019 cm–3 aufweist, einer zweiten Region (10) eines zweiten Leitungstyps der Freilaufdiode, die in der zweiten Hauptoberfläche (20b) des Halbleitersubstrates (20) ausgebildet ist, und einer Rückseitenelektrode (14), die auf der zweiten Hauptoberfläche (20b) so ausgebildet ist, dass sie in Kontakt mit sowohl der Kollektorregion (9) als auch der zweiten Region (10) ist und eine Titanschicht (11), eine Nickelschicht (12) und eine Goldschicht (13) aufweist, die ausgehend von einer Seite der zweiten Hauptoberfläche (20b) nacheinander aufeinander gestapelt sind und einer Emitterelektrode (8) auf der ersten Hauptoberfläche in Kontakt mit der ersten Region (2), wobei ein Kontaktabschnitt zwischen der zweiten Region (10) und der Kollektorregion (9) direkt unterhalb einem Kontaktabschnitt zwischen der Emitterelektrode (8) und der ersten Region (2) liegt. |
