一种检测用区熔硅单晶棒及其拉制方法

摘要

本发明公开了一种检测用区熔硅单晶棒及其拉制方法，该区熔硅单晶棒的晶向为<111>，外表面有三条均匀分布的棱线和一条明显隆起的晶苞。拉制时，在高纯氩气气氛下进行操作。在引晶、缩颈、放肩过程中通过适当的操作使硅单晶在后续生长过程中出现三条棱和一条明显隆起的晶苞。本方法能有效避免外界杂质的引入和多晶硅中磷元素损失，同时能极大的降低区熔硅单晶的缺陷密度，从而提高硅单晶各项检测的准确度。最终提高对多晶硅内在质量判定的准确性。

主权项

一种检测用区熔硅单晶棒，其特征在于：其晶向为<111>，硅单晶棒的外表面有三条均匀分布的棱线和一条明显隆起的晶苞；其缺陷密度在10³‑10⁴cm^‑2。