一种氮化镓基发光二极管外延片的生产方法

摘要

一种氮化镓基发光二极管外延片的生产方法，涉及应用在高亮度GaN基LED中p型GaN的生长技术领域。本发明采用低分解温度的有机氮源提供N的前驱物，p型电子阻挡层和p型空穴注入层采用低分解温度的有机氮源在温度500～600℃较低温度下可达到50%以上的分解效率，获得较充足的活性N源，一方面生长温度可以得到降低，避免传统高温生长p型层对有源区的破坏，另一方面利用活性N源在衬底的吸附作用，促进材料的二维平面生长，可有效促进p型层材料晶体质量的改善，改善空穴注入，提高LED内量子效率。

主权项

一种氮化镓基发光二极管外延片的生产方法，在衬底的同一侧依次外延生长低温缓冲层、GaN非掺杂层、n型电子注入层、InGaN/GaN应变多量子阱层、InGaN/GaN多量子阱有源区、p型电子阻挡层和表面粗化p型空穴注入层，其特征在于：在外延生长所述p型电子阻挡层和表面粗化p型空穴注入层时，采用低分解温度的有机氮源作为N的前驱物。