| 发明名称 | 透明氧化物半导体薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及透明氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）及其制造方法。所述方法包括：在基底上形成栅电极；形成栅极绝缘体；形成源电极和漏电极；以及形成被构造成使所述源电极与所述漏电极电连接的沟道，其中，所述沟道通过在惰性气体中可控的氧气分压下溅射未掺杂的透明金属氧化物层来形成，所述金属氧化物包括氧化锌、氧化铟、氧化锡和氧化镉中的至少一种，并且所述溅射在低于100℃的温度下进行。 | ||
| 申请公布号 | CN103137709B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201310066548.1 | 申请日期 | 2003.10.10 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | P·F·卡西亚;R·S·麦克莱恩 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 张英;王玉桂 |
| 主权项 | 一种制造薄膜晶体管基底的方法，包括：在塑性基底上形成栅电极；形成栅极绝缘体；形成源电极和漏电极；以及形成被构造成使所述源电极与所述漏电极电连接的沟道，其中，所述沟道通过在惰性气体中可控的氧气分压下溅射未掺杂的透明金属氧化物层来形成，所述金属氧化物包括氧化锌、氧化铟、氧化锡和氧化镉中的至少一种，并且所述溅射在低于100℃的温度下进行。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||