| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够简化制造工序的半导体装置。该半导体装置具有：与包含电路的半导体芯片的上面接触地形成的、由单一材料构成的第1绝缘膜；与第1绝缘膜的上面接触地形成的第1布线；从半导体芯片的侧面沿下面延伸地形成的、连接在通过去除第1绝缘膜的一部分而露出的第1布线的下面的第2布线。 | ||
| 申请公布号 | CN100466248C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200410082561.7 | 申请日期 | 2004.09.20 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 海田孝行;清水龙;沖川满;三轮哲也;野间崇 |
| 分类号 | H01L23/552(2006.01);H01L23/48(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L23/552(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，具有：第1绝缘膜，与包含电路的半导体芯片的上面接触地形成，由单一材料构成；第1布线，与上述第1绝缘膜的上面接触地形成；第2布线，连续形成在上述半导体芯片的侧面及下面，连接在通过去除上述第1绝缘膜的一部分而露出的第1布线的下面。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||