发明名称 |
硫化银半导体纳米颗粒的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种单分散硫化银半导体纳米颗粒的制备方法。该制备方法以常见的银盐、高碳醇及五硫化二磷为原料,通过简便的化学反应即可制得单分散硫化银半导体纳米颗粒。本发明具有原料廉价易得、简便、成本低,产率高等特点,适合大规模的工业生产;制备出的半导体纳米颗粒粒径均匀,稳定性好,有广泛的工业用途。 |
申请公布号 |
CN100465098C |
申请公布日期 |
2009.03.04 |
申请号 |
CN200410049452.5 |
申请日期 |
2004.06.18 |
申请人 |
中国科学院兰州化学物理研究所 |
发明人 |
刘维民;王晓波;付兴国;徐滨士 |
分类号 |
C01G5/00(2006.01);C01B17/20(2006.01) |
主分类号 |
C01G5/00(2006.01) |
代理机构 |
兰州中科华西专利代理有限公司 |
代理人 |
方晓佳 |
主权项 |
1、一种硫化银半导体纳米颗粒的制备方法,其特征在于该方法具体包括以下步骤:A)将醇溶于甲苯,在搅拌下加入粉状的五硫化二磷,在氮气流中回流反应2~6小时,过滤,冷却;其中醇的碳链长度为8~22,醇与五硫化二磷的摩尔比为3.5~4.5:1;B)将银盐溶液加入到A步骤所得滤液中,搅拌反应1~2小时,有白色固体产生,将其滤出,干燥;其中银盐与醇的摩尔比为1:1.5~2.5;C)将B步骤所得固体加热到150~200℃,反应2~6小时,所得黑色固体即为硫化银半导体纳米颗粒。 |
地址 |
730000甘肃省兰州市城关区天水路342号 |