Feldeffekttransistor

摘要

Ein Feldeffekttransistor umfasst: ein Halbleitersubstrat mit einer Hauptoberfläche; eine Vielzahl von Source-Elektroden und eine Vielzahl von Drain-Elektroden, die abwechselnd angeordnet und ohmisch mit der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats verbunden sind; eine Vielzahl von Gate-Elektroden, die mit der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats Schottky-verbunden und jeweils zwischen der Vielzahl von Source-Elektroden und der Vielzahl von Drain-Elektroden angeordnet sind; und eine Schottky-Elektrode, die mit der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats Schottky-verbunden ist, wobei jede der Vielzahl von Drain-Elektroden einen ersten und einen zweiten Abschnitt aufweist, die voneinander separiert sind, wobei eine Summe der Breiten der ersten und zweiten Abschnitte jeder Drain-Elektrode kleiner ist als eine Breite von einer Source-Elektrode, und wobei die Schottky-Elektrode zwischen dem ersten Abschnitt und dem zweiten Abschnitt der Drain-Elektrode angeordnet ist.